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拓锋半导体取得防护型MOS管专利,实现高效散热确保稳定工作

国家知识产权局信息显示,深圳市拓锋半导体科技有限公司取得一项名为“一种防护型的MOS管”的专利,授权公告号CN224124571U,申请日期为2025年3月。

专利摘要显示,本实用新型公开了一种防护型的MOS管,涉及MOS管技术领域。包括MOS管主体,MOS管主体的背面设有装配凹槽,且通过装配凹槽卡接有金属防护片,金属防护片上设有条形卡位槽,MOS管主体包括塑封外壳、引线框架及MOS芯片,引线框架安装于塑封外壳中,MOS芯片焊接于引线框架的焊盘上。该防护型的MOS管,当需要进行运输或携带时,将金属防护片从装配凹槽中拆出,并在条形卡位槽的作用下卡在引脚处,增大受力面,提高引脚处的结构强度,从而起到防护效果,而在使用时,将金属防护片从引脚处拆下,重新装回装配凹槽中,并与导热铜片相贴合,可扩大散热面积,加速热对流,实现高效散热,确保MOS管的稳定工作。

天眼查资料显示,深圳市拓锋半导体科技有限公司,成立于2009年,位于深圳市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市拓锋半导体科技有限公司共对外投资了1家企业,财产线索方面有商标信息7条,专利信息24条,此外企业还拥有行政许可9个。

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来源:市场资讯

发布于:北京市